Des ingénieurs développent un nouveau transistor à effet de champ bidimensionnel à faible consommation d’énergie
Fabrication et caractérisation de c-Al2O3. Crédit: Nature (2024). DOI : 10.1038/s41586-024-07786-2 Une équipe d’ingénieurs électriciens et informaticiens de l’Institut de microsystèmes