Les diamants sont-ils les meilleurs amis du GaN ? Révolutionner la technologie des transistors
L'intégration d'une couche 3C-SiC entre le GaN et le diamant réduit considérablement la résistance thermique à l'interface et améliore la
L'intégration d'une couche 3C-SiC entre le GaN et le diamant réduit considérablement la résistance thermique à l'interface et améliore la
